電子部品・信頼性評価
成膜解析
各種材料（合成石英、シリコンウェーハー等）上に成膜された種々の材質の膜性状を最新分析装置で調査いたします。
| 分析装置 | 測定原理 | 特徴 | 適用分野 |
|---|---|---|---|
| Fe-SEM 超分解能電解放射SEM |
試料表面に電子線を照射し、発生する２次電子像または反射電子像を観察します。 |
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磁気ヘッド等の薄膜多層形成試料の断面層構造観察によるスパッタ工程品質管理等 |
| μ-ESCA 走査型Ｘ線光電子分光分析器 |
特定エネルギーのＸ線を試料表面に照射すると、極表面（深さ数nm)から元素毎に固有のエネルギーを持った光電子が放出されます。 そのエネルギーと強度から元素の種類と量を特定します。さらに、元素の状態により光電子のエネルギーがわずかに変化する現象を利用して状態分析が可能です。 |
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金属、半導体、無機、有機、高分子材料等 |
| FE-AES 電解放射走査型オージェ電子分光分析装置 |
電子ビームを試料表面に照射すると、極表面（深さ数nm）から元素毎に固有のエネルギーを持ったオージェ電子が放出されます。そのエネルギーと強度から元素の種類と量を特定します。照射する電子ビームを細かく絞ることで、最小40nmφ程度までの微小領域分析が可能です。 |
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金属、半導体
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| TOF-SIMS 飛行時間型二次イオン質量分析装置 |
固形試料表面に微小に絞ったGa照射すると、スパッタリングによって試料最表面（深さ数Å程度）を構成する原子や分子がイオン化され、二次イオンとして放出されます。この二次イオンを飛行時間型質量分析器により高分解能で測定できます。 |
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金属、半導体、無機、有機、高分子材料の最表面化学構造解析、元素・化学種の分布像、深さ方向分析
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超微量化学分析
各種材料（剛性石英、シリコンウェーハー等）上に成膜された種々の材質の膜表面の不純物、膜中の微量不純物を測定します。
| 分析装置 | 測定原理 | 特徴 | 適用分野 |
|---|---|---|---|
| GDMS グロー放電質量分析 |
試料を陰極として希ガス中でグロー放電させ、スパッタリングされた試料表面の原子を放電プラズマ中でイオン化し、そのイオンを高分解能質量分析計で検出します。 |
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電子材料信頼性評価試験
各種材料（合成石英、シリコンウェーハー等）上に成膜された種々の材質の膜の信頼性評価試験を行います。
| 試験名 | 内容 |
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| スクラッチ試験 | 薄膜の下地との密着性 |
| ホール特性評価 | 半導体薄膜およびバルクのPN判定・キャリア濃度・移動性 |