物理分析・解析
表面・微小部分析、深さ方向分析
ＳＩＭＳ (Secondary Ion Mass Spectrometry)
二次イオン質量分析法
【原理】
酸素やセシウムなどのイオン（一次イオン）を数keVに加速し試料の表面に照射すると、試料表面からスパッター現象で電子、中性粒子、イオンなどの粒子が放出されます。
これらの粒子の中からイオンのみを取りだし、質量分析計で分析することにより、試料表面の組成を定性・定量的に知ることが出来ます。（下図）
また一次イオンを走査することで表面成分の分布状況も知ることが出来ます。
【適用分野】
金属、半導体、絶縁物などの各種材料の微量元素分析と深さ方向分析
【特徴】
- 最小分析面積：
- 数十μmφ
- 最大分析面積：
- １ｍｍ程度
- 検出深さ：
- 数十原子層
- 検出下限：
- 数ｐｐｍ
【参考】
つうしん１９９９年 夏 No.２４号―（Ｑ＆Ａ 二次イオン質量分析計[SIMS]をご紹介します。）
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