物理分析・解析
表面・微小部分析、深さ方向分析
- 表面数原子層～μｍオーダー深さの元素、状態分析
- ｎｍ～μｍオーダーの局所元素分析、状態分析
- ｎｍ～μｍオーダーの固体表面元素の深さ方向分析
装置別適用範囲表
［分析装置］
| Ｘ線光電子分光分析装置（XPS） | 極表面状態分析 深さ方向状態分析 |
| 電界放射型オージェ電子分光分析装置（AES） | 極表面微小部元素分析 深さ方向微少部元素分析 |
| 二次イオン質量分析計（SIMS） | 表面微量元素分析 深さ方向微量元素分析 |
| 飛行時間型二次イオン質量分析計（TOF-SIMS） | 極表面微量元素分析 極表面近傍微量元素分析 |
| 分析透過電子顕微鏡（A-TEM） | 微小部構造解析 |
| 電子線マイクロアナライザー（EPMA） | 表面元素分析 |
- 分析案件例
- ＳiＣ表面変色原因調査
- 処理酸化層の深さ方向元素移行状況調査
Ｘ線光電子分光分析装置
電界放射型オージェ電子分光分析装置
二次イオン質量分析計
飛行時間型二次イオン質量分析計
分析透過電子顕微鏡
電子線マイクロアナライザー
形態観察
- 原子オーダー～μｍオーダーの形態観察
［分析装置］
| 超高分解能電界放射走査型電子顕微鏡（UHR-FE-SEM） | ５千～５０万倍 |
| 電界放射走査型電子顕微鏡（FE-SEM） | ５千～１０万倍 |
| 走査型電子顕微鏡（SEM） | ５０～１万倍 |
| 原子間力顕微鏡（AFM） | １万～８０万倍 |
| 透過電子顕微鏡（TEM） | ～１００万倍 |
| 集束イオンビーム加工観察装置（FIB） | ５００～２万倍 |
- 分析案件例
- ＦＩＢ加工技術を用いた各種成膜層およびその界面の形態観察
超高分解能電界放射走査型
電子顕微鏡
電界放射走査型電子顕微鏡
走査型電子顕微鏡
集束イオンビーム加工
観察装置
結晶構造解析
- サブμｍ～ｍｍオーダーの結晶構造解析
［分析装置］
| 後方散乱電子線回折解析装置（EBSP） | 表面結晶方位 |
| Ｘ線回折装置（XRD） | バルク結晶構造解析 |
| 分析透過電子顕微鏡（A-TEM） | 微小部結晶構造解析 |
Ｘ線回析装置
後方散乱電子線回析解析装置
- 分析案件例
- 表面処理材の結晶構造解析
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研究支援事業部・解析技術部・物理解析室
室長：池崎
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